国产光刻机的制造工艺水平相对较低，与光刻机巨头ASML相比差距较大。目前，国内最先进的光刻机型号为SSA600/20，能够实现90nm的工艺。但是与ASML公司的光刻机相比，ASML已经达到了7nm的分辨率。
1. 蚀刻机的作用及其分辨率
蚀刻机的作用是将光刻机复印在硅片上的芯片图形进行刻蚀，形成芯片的结构和电路。国内光刻机的蚀刻分辨率一般为200nm，而ASML早在十几年前就已经实现了14nm的水平。
2. 国产光刻机的最高分辨率
目前国内最先进的光刻机型号为SSA600/20，采用ARF准分子激光器光源，波长193纳米，最大分辨率为90纳米。然而，该型号光刻机能够通过二次、三次曝光实现更小的制程，但也有人对此表示怀疑。
3. 中国光刻机的研发贡献
中国科学院光电技术研究所研制的一款光刻机，分辨率达到22纳米，将双重曝光技术应用于制造10纳米级别的芯片。虽然实现了9nm分辨率，但国内光刻机的研发贡献仍然有限，因为该实验室光刻机的研发并未造福整个国内光刻机行业。
4. ASML公司的光刻机工艺水平
ASML公司是全球光刻机市场的巨头，其最先进的EUV光刻机采用13.5纳米波长的光源，分辨率达到了7纳米。相比之下，中国最先进的光刻机只能达到22纳米的分辨率，与ASML仍然存在较大差距。
国产光刻机的制造工艺相对较低，最先进的型号为SSA600/20，能够实现90nm的工艺。与ASML的光刻机相比，国产光刻机在分辨率方面还有较大差距。然而，中国科学院光电技术研究所的光刻机研发取得一定突破，但对国内光刻机行业的贡献有限。ASML公司的光刻机工艺水平最为先进，达到了7纳米的分辨率。国产光刻机仍需进一步努力才能与国际领先水平接轨。
