1. 全球光刻机工艺水平：
目前光刻机根据不同工艺可以分别做到14纳米和5纳米以下。
目前最高端的EUⅤ光刻机波长为13.5纳米，曝光精度为14纳米，采用平面工艺。
台积电的2纳米制程工艺计划将在2025年量产，展望未来高端芯片制造的发展方向。
2. 光刻机突破情况：
全球最先进的光刻机是荷兰ASML的EUV光刻机。
中国目前还未突破5纳米的光刻机技术，光刻机技术非常难以攻克，目前仍然依赖进口。
3. 光刻机制造厂家和进口问题：
目前来自荷兰、美国等国家的光刻机是最先进的，光刻机技术进口依赖较高。
自主研发与制造光刻机的难度较大。
4. 光刻机技术的物理极限：
光刻机的最小极限趋近于1纳米，这是物理极限。
目前光刻机只能达到3纳米，要想突破3纳米，需要放弃现有基带系统，选择更小的元素。
通过以上内容可以得出结论：
目前全球光刻机工艺水平已经可以达到14纳米和5纳米以下，最先进的光刻机是荷兰ASML的EUV光刻机，可以做到13.5纳米的曝光精度。然而，中国目前还未突破5纳米的光刻机技术，仍然依赖进口。光刻机的制造非常困难，当前最小的极限趋近于1纳米，而目前光刻机只能达到3纳米。未来的高端芯片制造方向将继续朝着更小的线宽发展，但要突破3纳米的限制，需要放弃现有的基带系统，选择更小的元素。所以，世界光刻机最小纳米仍然有待进一步突破。
